| Y. Aoyagi (Ritsumeikan Univ.)
T. Asano (Kyushu Univ.)
H. Hasegawa (Hokkaido Univ.)
K. Hashimoto (Sony Corp.)
S. Hiraki (Toshiba Corp.)
Y. Horiike (NIMS)
H. Ito (Tokyo Electron Ltd.)
A. Ibaraki (SANYO Electric Co., Ltd.)
Y. Inoue (Renesas Tech. Corp.)
H. Ishiwara (Tokyo Tech.)
A. Kamisawa (ROHM Co., Ltd.)
T. Kamiya (NICT)
T. Kanayama (AIST)
T. Masuhara (ASET)
K. Natori (Univ. of Tsukuba)
T. Ohmi (Tohoku Univ.)
T. Onai (Hitachi, Ltd.)
|
T. Oomori (Mitsubishi Electric Corp.)
N. Saito (NHK)
H. Sakaki (Toyota Technological Inst.)
T. Shibata (Univ. of Tokyo)
Y. Shiraki (Musashi Inst. of Tech.)
J. Sone (NEC Corp.)
T. Suga (Univ. of Tokyo)
K. Tada (Kanazawa Inst. of Tech.)
A. Takahashi (Sharp Corp.)
K. Taniguchi (Osaka Univ.)
K. Tsubouchi (Tohoku Univ.)
H. Uchida (Panasonic Corp.)
J. Ueda (SILIJ)
H. Watanabe (Selete)
Y. Yasuda (Kochi Univ. of Tech.)
I. Yokohama (NTT Corp.)
N. Yokoyama (Fujitsu Labs. Ltd.)
|
